Kristall oszillatoren werden häufig verwendet, um präzise Frequenz standards für integrierte elektronische Systeme zu erzeugen. Aufgrund der ständig steigenden Anforderungen an die tragbaren Instrumente sind Hoch leistungs kristall oszillatoren auf dem Silizium chip eingebettet, wo die Strom versorgung begrenzt ist und die Frequenz präzision Anlass zur Sorge gibt. Darüber hinaus ist für die miniatur isierten tragbaren Geräte ein geringer Strom verbrauch immer eine entscheidende Voraussetzung, was zu einer wesentlichen Berücksichtigung dieses vor geschlagenen Stroms führtKristall oszillator. So wurde ein CMOS-Kristall oszillator mit geringer Leistung mit hoher Genauigkeit durch Abstimmung der Schalt kondensator bänke realisiert.
Ein Oszillator sollte so ausgelegt sein, dass er eine ausreichende Verstärkung aufweist, um über den gesamten Betriebs temperatur-und Spannungs bereich zu arbeiten. Die Amplitude muss immer ausreichen, um die folgenden Verstärkungs-und Puffers tufen unter Betriebs bedingungen anzutreiben. Um den Strombedarf des Oszillators zu minimieren, wird für eine gegebene Schwingungs spannung ein niedriger CL gewünscht. Eine niedrigere CL erhöht jedoch die Anfälligkeit eines Oszillators für den Einfluss von externem Rauschen. Eine schlechte Verfügbar keit von Kristallen mit niedrigem CL-Wert kann die Auswahl eines Kristalls mit einem höheren CL auf Kosten eines erhöhten Oszillators troms erforderlich machen. Wenn ein Design ein kleines Kristall paket erfordert, wird ebenfalls ein Oszillator design benötigt, das einen hohen ESR-Kristall antreiben und den erforderlichen Oszillators trom erhöhen. Zusätzlich erhöhen Schaltkreise, die zum Hinzufügen wünschens werter Funktionen verwendet werden, wie z. B. Glitch-Filter zur Verbesserung der Oszillator rausch immunität oder Schaltkreise zum Erkennen, wenn der Oszillator angehalten hat, den Gesamtstrom verbrauch der Schaltung.